本发明公开了一种基于强电子注入层的倒置结构OLED器件及其制备方法，该倒置结构OLED器件包括从左至右的ITO透明阴极、强电子注入层、BPhen电子传输层、TAZ发光层、CBP空穴传输层、三氧化钼空穴注入层和Al阳极，强电子注入层包括氧化锌层和碳酸铯层中的一种或两种或氧化锌‑碳酸铯层，制备方法包括碳酸铯‑乙醇溶液、氧化锌‑甲醇溶液的制备及混合溶液的制备、ITO透明阴极的处理和倒置结构OLED器件的制备，本发明优选的选择碳酸铯和氧化锌复合作为强电子注入层，基于TAZ发光层，OLED器件表现出优异的短波长发射，具有2.42mW/cm2的最大辐射度和0.85％的EQE，并提高了工作耐久性，XPS分析表明，s‑ZnO+Cs2CO3表现出优异的电子性能并有助于电子注入，从而提高了倒置结构OLED器件的电光性能。
